固態(tài)電解質(zhì)陶瓷片和粉 參考價(jià):面議
固態(tài)電解質(zhì)陶瓷片和粉介紹:鎢摻雜LLZO氧化物的標(biāo)稱(chēng)組成為L(zhǎng)i6.3La3Zr1.65W0.35012,由于鋰離子電導(dǎo)率高,相對(duì)于鋰的化學(xué)穩(wěn)定性,是鋰基電池中的...Ni基底石墨烯 參考價(jià):面議
Ni基底石墨烯是一種基底氮化鎵(GaN)晶體基片 參考價(jià):面議
GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶,能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu),已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG(因?yàn)?-DEG面密度較高,有效地屏蔽了光學(xué)聲子...進(jìn)口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片 參考價(jià):面議
進(jìn)口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片 參考價(jià):面議
鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片 參考價(jià):面議
鋁酸鎂(尖晶石)單晶廣泛應(yīng)用于聲波和微波器件及快速I(mǎi)C外延基片。同時(shí)研究發(fā)現(xiàn)它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結(jié)構(gòu)而難...Au靶 參考價(jià):面議
Au靶材于薄膜制備硅鍺(Si-Ge)晶體基片 參考價(jià):面議
硅鍺(Si-Ge)晶體基片AL2O3晶棒 參考價(jià):面議
AL2O3晶棒非極性GaN晶體基片 參考價(jià):面議
非極性GaN晶體基片鋁酸鑭(LaAlO3)晶體基片 參考價(jià):面議
鋁酸鑭(LaAlO3)晶體基片鋁酸鍶鉭鑭(LSAT)晶體基片 參考價(jià):面議
鋁酸鍶鉭鑭(LSAT)晶體基片鈦酸鍶(SrTiO3)雙晶基片 參考價(jià):面議
鈦酸鍶(SrTiO3)雙晶基片LaNiO3導(dǎo)電薄膜 參考價(jià):面議
LaNiO3導(dǎo)電薄膜Al摻雜ZnO基薄膜 參考價(jià):面議
Al摻雜ZnO基薄膜Ca3CO4O9氧化物熱電薄膜 參考價(jià):面議
Ca3CO4O9氧化物熱電薄膜A-Z系列薄膜 參考價(jià):面議
A-Z系列薄膜氧化鈰(CeO2)薄膜 參考價(jià):面議
氧化鈰(CeO2)薄膜Si+SiO2+Ti+Pt薄膜 參考價(jià):面議
Si+SiO2+Ti+Pt薄膜SOI薄膜(Si+SiO2+Si) 參考價(jià):面議
SOI薄膜(Si+SiO2+Si)Si+SiO2薄膜 參考價(jià):面議
Si+SiO2薄膜金剛石薄膜(DOS) 參考價(jià):面議
金剛石薄膜(DOS)金剛石薄膜(高阻DOI) 參考價(jià):面議
金剛石薄膜(高阻DOI)金剛石薄膜(低阻DOI) 參考價(jià):面議
金剛石薄膜(低阻DOI)(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)